近期，我校电信学院微电子科研团队在国际电路与系统领域权威期刊IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs（TCAS II）上成功发表集成电路设计方面的学术论文——“A 2.5 ppm/℃ voltage reference combining traditional BGR and ZTC MOSFET high-order curvature compensation”。
微电子科研团队成员——刘锡峰老师所发表的论文采用了MOS器件α功率模型分析，结合ZTC工作特性，设计并实现了一款用于高精度语音通讯的高阶曲率补偿带隙基准芯片。
TCAS II是IEEE旗下学术期刊，是电路与系统、集成电路设计领域业界公认的顶级期刊，上述论文的发表实现了我校在集成电路设计领域国际性高水平论文方面突破。此外，微电子科研团队还分别在International Journal of Electronics and Communications”（JCR分区：2）、Microelectronics Journal”（JCR分区：3）期刊上成功发表了另外两篇集成电路设计相关论文。
近年来，我校基于江苏省专用集成电路设计重点实验室（无锡）平台，面向区域经济重大需求和国际前沿领域，坚持学术创新和工程实践协同发展，在微电子科研团队全体成员的共同努力下，科学研究方面的成果正在逐步显现。（电子信息工程学院：居水荣）
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